真空測量是半導體、鍍膜、科研、航空航天等制造的核心工藝環(huán)節(jié)，壓力精度直接決定產(chǎn)品良率與設備可靠性。瑞士 INFICON（英?？担┳鳛檎婵諜z測領域企業(yè)，其真空計以寬量程覆蓋、高精度穩(wěn)定、抗污染耐用、數(shù)字化兼容為核心優(yōu)勢，覆蓋從大氣壓到超高真空全區(qū)間測量需求，成為嚴苛工況下的方案。

一、核心技術原理與產(chǎn)品譜系

INFICON 真空計基于不同真空區(qū)間采用差異化傳感原理，形成完整產(chǎn)品矩陣，滿足從粗真空到超高真空的全場景測量。

1. 皮拉尼真空計（Pirani）

原理：基于氣體熱傳導與壓力相關性，通過測溫電阻變化實現(xiàn)壓力檢測。

典型型號：PPG550、PPG570、PGE500

量程：5×10?? mbar ~ 1500 mbar

優(yōu)勢：MEMS 芯片化設計，響應快、成本優(yōu)，2 mbar 以上氣體依賴性低，適配工業(yè)常規(guī)真空監(jiān)控。

2. 電容薄膜真空計（CDG）

原理：彈性膜片在壓力差作用下形變，通過電容變化精準測量，與氣體種類無關。

典型型號：SKY CDG045D、Cube CDGsci、CDG015D

精度：可達 **±0.025% RD**，年漂移＜70 ppm FS，溫漂＜5 ppm FS/℃

優(yōu)勢：高精度、高穩(wěn)定、抗腐蝕，適用于半導體 CVD/PVD、精密校準、惰性 / 活性氣體工藝。

3. 熱電離真空計（Bayard-Alpert）

原理：氣體分子被電子電離，離子流與壓力成正比，實現(xiàn)高 / 超高真空測量。

典型型號：BAG05x、BAG302、Trigon BCG552

量程：1.3×10?? ~ 6.7×10?2 mbar

優(yōu)勢：雙燈絲冗余設計，抗污染，適配半導體、粒子加速器、核聚變裝置。

4. 冷陰極 / 反磁控真空計

原理：無燈絲設計，磁場約束電離，避免燒斷風險。

典型型號：MPG40x、MAG470、Gemini MPG50x

量程：5×10?? mbar ~ 大氣壓

優(yōu)勢：免維護、啟動性能優(yōu)異，適配長周期連續(xù)運行工況。

5. 復合真空計

皮拉尼 + 電容薄膜（PCG550）：覆蓋 5×10??~1500 mbar，兼顧精度與寬量程。

皮拉尼 + 冷陰極（MPG 系列）：一鍵覆蓋全真空段，無需切換傳感器。

三冗余復合（Trigon TripleGauge）：單探頭實現(xiàn)超高真空到中真空測量，簡化系統(tǒng)集成。

6. 基準級真空計

IRG080 離子基準真空計，符合 ISO TS 6737 標準，為國家計量機構、校準提供高真空一級參考標準，支撐量值傳遞與工藝溯源。

二、關鍵技術特性

全量程覆蓋

單傳感器 / 復合探頭可實現(xiàn)5×10?? mbar ~ 1500 mbar 連續(xù)測量，覆蓋粗 / 低 / 高 / 超高真空全區(qū)間。

高精度與高穩(wěn)定性

CDG 系列年漂移低至 ppm 級，電離計線性度優(yōu)異，滿足 7nm/5nm 制程、光學鍍膜、量子科研等精度需求。

抗污染與耐用性

陶瓷密封、金屬饋通、抗腐蝕材質(zhì)（鎳 / 鎢燈絲可選），在粉塵、工藝蒸汽、腐蝕性氣體環(huán)境下保持長期穩(wěn)定。

數(shù)字化與工業(yè)兼容

標配 RS485/RS232、EtherCAT、0-10V/4-20mA 接口，兼容 VacXplor 上位機軟件，支持數(shù)據(jù)可視化、遠程監(jiān)控與自動化閉環(huán)控制。

標準化與互換性

符合 ISO/SEMI 標準，可直接替換主流品牌同類型規(guī)管，降低設備改造成本。

三、典型工業(yè)應用場景

半導體制造：光刻、刻蝕、CVD/PVD、離子注入，壓力精度決定薄膜均勻性與芯片良率。

真空鍍膜：光學鏡片、光伏電池、裝飾鍍膜，保證膜層厚度與附著力穩(wěn)定。

科研與計量：實驗室校準、粒子加速器、核聚變裝置、航空航天環(huán)境模擬。

工業(yè)爐與熱處理：真空釬焊、燒結、退火，保障工藝一致性與產(chǎn)品質(zhì)量。

檢漏與設備運維：真空系統(tǒng)密封性檢測，設備故障預判與效率優(yōu)化。